科索沃和土耳其一項聯(lián)合研究顯示，MTA-冷側(cè)壓技術(shù)及AH26-熱垂直加壓技術(shù)均能增強根管充填糊劑滲透性。去除玷污層是提高MTA根管充填糊劑滲透性的關(guān)鍵，然而對AH26來說意義不大。該論文5月8日在線發(fā)表于《牙體牙髓病學雜志》（JEndod）。

　　研究納入45顆人類下頜單根前磨牙。使用自動調(diào)節(jié)銼對根管進行處理，用次氯酸鈉（2.6%）反復沖洗。然后將根管干燥，再通過冷側(cè)壓技術(shù)或者熱垂直加壓技術(shù)將標有羅丹明B的AH26或者MTA根管充填糊劑充填根管。處理后，將牙根根尖4mm、8mm和12mm進行橫向截斷成段。使用共焦激光掃描顯微鏡來測量其牙本質(zhì)小管中封閉劑的滲透性。

　　結(jié)果為，無論是否使用EDTA，與AH26相比，采用冷側(cè)壓技術(shù)，MTA根管充填糊劑具有更強滲透性；與MTA根管充填糊劑相比，采用熱垂直加壓技術(shù)會使AH26滲透性增強（P＜0.05）。去除玷污層后，采用冷側(cè)壓技術(shù)可使MTA根管充填糊劑滲透深性增加（P＜0.05）；對于AH26，去除玷污層對其滲透深度無明顯作用。

(實習編輯：徐潤蘭）